Об интеллектуальной собственности Обучение в области ИС Обеспечение уважения интеллектуальной собственности Информационно-просветительская работа в области ИС ИС для ИС и ИС в области Информация о патентах и технологиях Информация о товарных знаках Информация о промышленных образцах Информация о географических указаниях Информация о новых сортах растений (UPOV) Законы, договоры и судебные решения в области ИС Ресурсы в области ИС Отчеты в области ИС Патентная охрана Охрана товарных знаков Охрана промышленных образцов Охрана географических указаний Охрана новых сортов растений (UPOV) Разрешение споров в области ИС Деловые решения для ведомств ИС Оплата услуг в области ИС Органы по ведению переговоров и директивные органы Сотрудничество в целях развития Поддержка инновационной деятельности Государственно-частные партнерства Инструменты и сервисы на базе ИИ Организация Работа с ВОИС Подотчетность Патенты Товарные знаки Промышленные образцы Географические указания Авторское право Коммерческая тайна Академия ВОИС Практикумы и семинары Защита прав ИС WIPO ALERT Информационно-просветительская работа Международный день ИС Журнал ВОИС Тематические исследования и истории успеха Новости ИС Премии ВОИС Бизнеса Университетов Коренных народов Судебных органов Генетические ресурсы, традиционные знания и традиционные выражения культуры Экономика Гендерное равенство Глобальное здравоохранение Изменение климата Политика в области конкуренции Цели в области устойчивого развития Передовых технологий Мобильных приложений Спорта Туризма PATENTSCOPE Патентная аналитика Международная патентная классификация ARDI – исследования в интересах инноваций ASPI – специализированная патентная информация Глобальная база данных по брендам Madrid Monitor База данных Article 6ter Express Ниццкая классификация Венская классификация Глобальная база данных по образцам Бюллетень международных образцов База данных Hague Express Локарнская классификация База данных Lisbon Express Глобальная база данных по ГУ База данных о сортах растений PLUTO База данных GENIE Договоры, административные функции которых выполняет ВОИС WIPO Lex – законы, договоры и судебные решения в области ИС Стандарты ВОИС Статистика в области ИС WIPO Pearl (терминология) Публикации ВОИС Страновые справки по ИС Центр знаний ВОИС Серия публикаций ВОИС «Тенденции в области технологий» Глобальный инновационный индекс Доклад о положении в области интеллектуальной собственности в мире PCT – международная патентная система Портал ePCT Будапештская система – международная система депонирования микроорганизмов Мадридская система – международная система товарных знаков Портал eMadrid Cтатья 6ter (гербы, флаги, эмблемы) Гаагская система – система международной регистрации образцов Портал eHague Лиссабонская система – международная система географических указаний Портал eLisbon UPOV PRISMA UPOV e-PVP Administration UPOV e-PVP DUS Exchange Посредничество Арбитраж Вынесение экспертных заключений Споры по доменным именам Система централизованного доступа к результатам поиска и экспертизы (CASE) Служба цифрового доступа (DAS) WIPO Pay Текущий счет в ВОИС Ассамблеи ВОИС Постоянные комитеты График заседаний WIPO Webcast Официальные документы ВОИС Повестка дня в области развития Техническая помощь Учебные заведения в области ИС Поддержка в связи с COVID-19 Национальные стратегии в области ИС Помощь в вопросах политики и законодательной деятельности Центр сотрудничества Центры поддержки технологий и инноваций (ЦПТИ) Передача технологий Программа содействия изобретателям (IAP) WIPO GREEN PAT-INFORMED ВОИС Консорциум доступных книг Консорциум «ВОИС для авторов» WIPO Translate для перевода Система для распознавания речи Помощник по классификации Государства-члены Наблюдатели Генеральный директор Деятельность в разбивке по подразделениям Внешние бюро Вакансии Закупки Результаты и бюджет Финансовая отчетность Надзор
Arabic English Spanish French Russian Chinese
Законы Договоры Решения Просмотреть по юрисдикции

Act (2020:543) Amending Act (1992:1685) on the Protection of Topographies for Semiconductor Products, Швеция

Назад
Последняя редакция на WIPO Lex
Подробности Подробности Год версии 2020 Даты вступление в силу: 1 сентября 2020 г. Принят: 17 июня 2020 г. Тип текста Основное законодательство по ИС Предмет Топологии интегральных микросхем Предмет (вторичный) Исполнение законов об ИС

Имеющиеся тексты

Основной текст(-ы) Смежный текст(ы)
Основной(ые) текст(ы) Основной(ые) текст(ы) Шведский Lag (2020:543) om ändring i lagen (1992:1685) om skydd för kretsmönster för halvledarprodukter         Английский Act (2020:543) Amending Act (1992:1685) on the Protection of Topographies for Semiconductor Products        

This is an unofficial translation of the law (2020:543) amending the Act (1992: 1685) on the Protection of Typographies for Semiconductor Products. Should there be any differences between this translation and the authentic Swedish text, the authentic Swedish text will prevail.

Law (2020:543) amending the Act (1992: 1685) on the Protection of Typographies for Semiconductor Products

Issued on the 17th of June 2020

Article 91 Anyone who intentionally or by gross negligence commits an act which infringes the right pursuant to Article 2, is punishable for topography violation with a fine or imprisonment for up to two years.

If the violation was committed intentionally and is considered serious, the person is punishable for serious topography violation with imprisonment for a minimum of six months up to a maximum of six years. When assessing whether the violation is serious, particular consideration has to be given to whether the act concerned

1. has been preceded by particular planning, 2. was part of criminal activities conducted in an organised form, 3. was conducted on a large scale, 4. was otherwise of a particularly dangerous nature. Anyone who has violated an injunction issued with a penalty of a fine

pursuant to Article 9 b, must not be held liable for infringements covered by the injunction.

Responsibility is assigned under Chapter 23 of the Criminal Code for attempting to commit or preparation of topography violation or serious topography violation.

The prosecutor may initiate a prosecution for violations only if the prosecution is motivated for being in the public interest. Act (2020:543).

This Act enters into force on the 1 September 2020.

1 Latest version 2005:304. 1

1

Svensk författningssamling

Lag om ändring i lagen (1992:1685) om skydd för kretsmönster för halvledarprodukter

Utfärdad den 17 juni 2020

Enligt riksdagens beslut1 föreskrivs att 9 § lagen (1992:1685) om skydd för

kretsmönster för halvledarprodukter ska ha följande lydelse.

9 §2 Den som uppsåtligen eller av grov oaktsamhet vidtar en åtgärd som

innebär intrång i rätten enligt 2 § döms för kretsmönsterbrott till böter eller

fängelse i högst två år.

Om brottet begåtts uppsåtligen och är att anse som grovt, döms för grovt

kretsmönsterbrott till fängelse i lägst sex månader och högst sex år. Vid

bedömningen av om brottet är grovt ska det särskilt beaktas om gärningen

1. har föregåtts av särskild planering,

2. har utgjort ett led i en brottslighet som utövats i organiserad form,

3. har varit av större omfattning, eller

4. annars har varit av särskilt farlig art.

Den som har överträtt ett vitesförbud enligt 9 b § får inte dömas till ansvar

för intrång som omfattas av förbudet.

För försök eller förberedelse till kretsmönsterbrott eller grovt kretsmönster-

brott döms det till ansvar enligt 23 kap. brottsbalken.

Åklagaren får väcka åtal för brott endast om åtal är motiverat från allmän

synpunkt.

Denna lag träder i kraft den 1 september 2020.

På regeringens vägnar

MORGAN JOHANSSON

Liv Bernitz

(Justitiedepartementet)

1 Prop. 2019/20:149, bet. 2019/20:NU18, rskr. 2019/20:312. 2 Senaste lydelse 2005:304.

SFS 2020:543 Publicerad

den 18 juni 2020

Дополнительный текст(-ы) Титульный лист уведомления ВТО (3 текст(ов)) Титульный лист уведомления ВТО (3 текст(ов)) Французский Loi n° 2020:543 portant modification de la loi n°(1992:1685) sur la protection des topographies de produits semi-conducteurs Испанский Ley N° 2020:543 sobre modificaciones al Ley N° 1992:1685 de la Protección de las Topografías de Productos Semiconductores Английский Act (2020:543) Amending Act (1992:1685) on the Protection of Topographies for Semiconductor Products

This is an unofficial translation of the law (2020:543) amending the Act (1992: 1685) on the Protection of Typographies for Semiconductor Products. Should there be any differences between this translation and the authentic Swedish text, the authentic Swedish text will prevail.

Law (2020:543) amending the Act (1992: 1685) on the Protection of Typographies for Semiconductor Products

Issued on the 17th of June 2020

Article 91 Anyone who intentionally or by gross negligence commits an act which infringes the right pursuant to Article 2, is punishable for topography violation with a fine or imprisonment for up to two years.

If the violation was committed intentionally and is considered serious, the person is punishable for serious topography violation with imprisonment for a minimum of six months up to a maximum of six years. When assessing whether the violation is serious, particular consideration has to be given to whether the act concerned

1. has been preceded by particular planning, 2. was part of criminal activities conducted in an organised form, 3. was conducted on a large scale, 4. was otherwise of a particularly dangerous nature. Anyone who has violated an injunction issued with a penalty of a fine

pursuant to Article 9 b, must not be held liable for infringements covered by the injunction.

Responsibility is assigned under Chapter 23 of the Criminal Code for attempting to commit or preparation of topography violation or serious topography violation.

The prosecutor may initiate a prosecution for violations only if the prosecution is motivated for being in the public interest. Act (2020:543).

This Act enters into force on the 1 September 2020.

1 Latest version 2005:304. 1

1

Svensk författningssamling

Lag om ändring i lagen (1992:1685) om skydd för kretsmönster för halvledarprodukter

Utfärdad den 17 juni 2020

Enligt riksdagens beslut1 föreskrivs att 9 § lagen (1992:1685) om skydd för

kretsmönster för halvledarprodukter ska ha följande lydelse.

9 §2 Den som uppsåtligen eller av grov oaktsamhet vidtar en åtgärd som

innebär intrång i rätten enligt 2 § döms för kretsmönsterbrott till böter eller

fängelse i högst två år.

Om brottet begåtts uppsåtligen och är att anse som grovt, döms för grovt

kretsmönsterbrott till fängelse i lägst sex månader och högst sex år. Vid

bedömningen av om brottet är grovt ska det särskilt beaktas om gärningen

1. har föregåtts av särskild planering,

2. har utgjort ett led i en brottslighet som utövats i organiserad form,

3. har varit av större omfattning, eller

4. annars har varit av särskilt farlig art.

Den som har överträtt ett vitesförbud enligt 9 b § får inte dömas till ansvar

för intrång som omfattas av förbudet.

För försök eller förberedelse till kretsmönsterbrott eller grovt kretsmönster-

brott döms det till ansvar enligt 23 kap. brottsbalken.

Åklagaren får väcka åtal för brott endast om åtal är motiverat från allmän

synpunkt.

Denna lag träder i kraft den 1 september 2020.

På regeringens vägnar

MORGAN JOHANSSON

Liv Bernitz

(Justitiedepartementet)

1 Prop. 2019/20:149, bet. 2019/20:NU18, rskr. 2019/20:312. 2 Senaste lydelse 2005:304.

SFS 2020:543 Publicerad

den 18 juni 2020


Законодательство Изменяет (1 текст(ов)) Изменяет (1 текст(ов)) Справочный индекс документа ВТО
IP/N/1/SWE/4
IP/N/1/SWE/L/3
Данные недоступны.

№ в WIPO Lex SE219